成都蓝狮的光生伏打原理与电性能参数

成都蓝狮的光生伏打原理与电性能参数

蓝狮

电池片可分为单晶硅电池片和多晶硅单电池片。单晶硅电池的转换率高于多晶硅电池2-3%，多晶硅电池的弱光性好于单晶单晶太阳能电池规格：156×156±
规格：156×156±0.5mm
对角线：202±1.0mm
硅片的厚度：220±20um
正面：有蓝色氮化硅反射膜，银汇流带（宽有1.8、1.6、正面：有蓝色氮化硅反射膜，银汇流带（宽有1.8、1.6、2毫米规格宽）
背面：全部由铝背场覆盖，有4毫米宽的银铝焊线

铝背场
定义：为了改善硅太阳电池的效率，在p-n结制备完成后，往往在硅片的背面即背光面，沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场。
作用：减少少数载流子在背面复合的概率。也可以作为背面的金属电极，还有可以扩散吸杂作用，与磷扩散吸杂不同，铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积，而在较高温度下，沉积的杂质易于溶解进入硅中，对Mc—Si产生不利的影响。
制备方法：最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉制备方法：最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉积一层铝膜，然后再800～1000℃积一层铝膜，然后再800～1000℃热处理，使铝膜和硅合金化并内扩散，形成一层高铝浓度掺杂的P+层，构成铝背金化并内扩散，形成一层高铝浓度掺杂的P+层，构成铝背场。

蓝狮光生伏打原理
当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的的实质是：光子能量转换成电能的过程。

进料检测
外观：表面无污，氮化硅膜色匀
栅线均匀对称排布，无氧化及外观缺陷脱落
片子无隐裂、V型角、划痕，U型口应不大于1×2mm2
电池片翘曲度，单晶硅125×125cell≤1.0mm
多晶硅156多晶硅156×156cell≤1.8mm

广州电池片电性能参数
太阳能电池效率η
太阳能电池的填充因子FF=Vm*Im/Voc*Isc
短路电流Isc，当V=0时，电流达到的最大值
开路电压Voc，当I=0时，电压达到的最大值
在I=Isc，V=0及V=Voc，I=0处，其功率值P=0,最大功率Pm=VmIm，实际功率达不到Pm

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